碳化硅元件展妙用汽車電子效率/功率大增 集微網(wǎng)

汽車電動化趨勢正穩(wěn)定成長,因此插電式油電混合車和全電動車(xEV)需要高效率的功率半導(dǎo)體。相較于傳統(tǒng)硅(Si)芯片,碳化硅(SiC)的優(yōu)點不僅能應(yīng)用在工業(yè),亦能 

SiC功率模組的特徵: 何謂sic功率元件？ 電子小百科 Electronics Trivia

SiC模組的特徵. 使用大電流的功率模組廣泛採用Si的IGBT與FRD組合之IGBT模組。ROHM引領(lǐng)世界,開始販售搭載SiCMOSFET與SiCSBD之功率模組。

SiC功率元件的開發(fā)背景和優(yōu)點 基本知識 電源設(shè)計技術(shù)資訊網(wǎng)站ROHM

2017年3月9日 上次說明了SiC的物性和SiC功率元件的特徴。SiC功率元件可以達到超越Si功率元件的高耐壓、低ON阻抗、高速動作,亦可在更高溫下動作。這次我 

1200 V 碳化矽(SiC) 二極體 Rohm DigiKey

2015年7月6日 ROHM 是SiC 技術(shù)的領(lǐng)先製造商,能在高電壓設(shè)計中達到更高的效率和更高導(dǎo)熱性。

連續(xù)碳化硅長絲纖維生產(chǎn)技術(shù)現(xiàn)狀 中國材料進展

2014年5月5日 連續(xù)碳化硅長絲纖維生產(chǎn)的4個關(guān)鍵技術(shù)工藝過程包括：有機硅烷小 應(yīng)性氣氛中高溫?zé)峤宦?lián)結(jié)晶化形成終燒碳化硅纖維的高溫?zé)峄瘜W(xué)轉(zhuǎn)化過程。

碳化矽MOSFET鎖定三大重點應(yīng)用領(lǐng)域 EDN Taiwan

2018年8月21日 英飛凌以革命性的碳化矽(SiC)溝槽式技術(shù)推出CoolSiC MOSFET系列,提供高性能、高可靠性、高功率密度且具成本效益的解決方案

元件與模組SiC和GaN功率器件步入快車道,將帶來哪些新機遇？ 瀚薪

2016年11月15日 傳統(tǒng)的硅(Silicon Si)功率器件,由於價格低廉與開發(fā)時間較早,已在各種 頻切換、高溫操作、高功率密度等需求,逐漸帶出碳化硅(Silicon Carbide 

元件與模組SiC和GaN功率器件步入快車道,將帶來哪些新機遇？ 瀚薪

2016年11月15日 傳統(tǒng)的硅(Silicon Si)功率器件,由於價格低廉與開發(fā)時間較早,已在各種 頻切換、高溫操作、高功率密度等需求,逐漸帶出碳化硅(Silicon Carbide 

碳化硅木質(zhì)陶瓷的顯微結(jié)構(gòu)及力學(xué)性能 IngentaConnect

結(jié)果表明：采用注漿成型制備的碳化硅木質(zhì)陶瓷力學(xué)性能優(yōu)異,實測的游離硅含量同 充分,燒結(jié)體顯微硬度、彎曲強度、彈性模量和斷裂韌性分別為22.3 GPa、397 

《功率SiC（碳化硅）材料、器件、模組及應(yīng)用2017版》 超越摩爾市場報告

2017年8月5日 碳化硅（SiC）應(yīng)用將在2019年迎來爆發(fā)！ 許多市場正面信號顯示,SiC功率器件的市場應(yīng)用正在加速. 2016年,Yole曾稱"SiC功率半導(dǎo)體市場是確定 

基于碳化硅MOSFET變溫度參數(shù)模型的器件建模與仿真驗證《華北電力

【摘要】：碳化硅(SiC)是新型功率半導(dǎo)體材料之一,具有禁帶寬、擊穿電場高、熱導(dǎo)率高、載流子漂移速率高、功率密集度高等諸多優(yōu)點。以SiC材料為基礎(chǔ)的功率半導(dǎo)體 

碳化矽功率半導(dǎo)體 瀚薪科技股份有限公司 關(guān)於瀚薪

瀚薪科技股份有限公司提供碳化矽功率半導(dǎo)體產(chǎn)品服務(wù),為專業(yè)的碳化矽功率半導(dǎo)體製造商, 碳化矽功率半導(dǎo)體供應(yīng)商及碳化矽功率半導(dǎo)體出口商.

碳化硅磚_百度百科

碳化硅磚是以SiC為主要原料制成的耐火材料。莫氏硬度9。對于酸性熔渣較穩(wěn)定。含SiC 72%～99%。分為黏土結(jié)合、Si3N4結(jié)合、Sialon結(jié)合、βSiC結(jié)合、Si2ON2 

碳化硅薄膜脈沖激光晶化特性研究! 物理學(xué)報

2004年6月6日 采用XeCl 準分子激光對非晶碳化硅（aSiC）薄膜的脈沖激光晶化特性進行了研究.通過原子力顯微鏡（AFM）和. Raman 光譜技術(shù)對退火前后薄膜樣品 

【徵稿】2018功率半導(dǎo)體材料（氮化鎵＆碳化矽）應(yīng)用元件國際論壇學(xué)生

為推廣國內(nèi)學(xué)術(shù)研究單位投入功率半導(dǎo)體材料及高功率模組電力電子應(yīng)用相關(guān)研究,將於2018功率半導(dǎo)體材料（氮化鎵＆碳化矽）應(yīng)用元件國際論壇活動配合舉辦學(xué)生 

碳化硅MOSFET的Matlab/Simulink建模及其溫度特性評估【維普網(wǎng)

為了更好地評估碳化硅（Silicon carbide,SiC）MOSFET在功率變換裝置中的性能, 針對傳統(tǒng)的SiC MOSFET的建模方法的不足,在Matlab/Simulink環(huán)境中提出了一種 

碳化矽功率半導(dǎo)體 瀚薪科技股份有限公司 關(guān)於瀚薪

瀚薪科技股份有限公司提供碳化矽功率半導(dǎo)體產(chǎn)品服務(wù),為專業(yè)的碳化矽功率半導(dǎo)體製造商, 碳化矽功率半導(dǎo)體供應(yīng)商及碳化矽功率半導(dǎo)體出口商.

【行業(yè)分享】備受期待的碳化硅功率器件行業(yè)動態(tài)ROHM技術(shù)社區(qū)

2018年5月30日 碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑為原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。 碳化硅又稱碳硅石。

碳化硅（SiC） 日本精密陶瓷株式會社 日本ファインセラミックス

碳化硅是一種黑色陶瓷,和其他的精密陶瓷相比,在高溫環(huán)境（1000℃以上）中機械強度降低幅度小、耐磨耗性高。 因其強共價鍵,在各種精密陶瓷材料中硬度、耐 

碳化硅模芯_無錫易克賽思新材料有限公司 氧化鋁陶瓷

2017年11月21日 氧化鋁 · 氧化鋯 · 碳化硅. 聯(lián)系我們. 無錫易克賽思新材料有限公司聯(lián)系人：劉經(jīng)理手機： 電話：0510－ 公司地址：江蘇省宜興 

碳化硅 409212 ChemicalBook

ChemicalBook 為您提供碳化硅(409212)的化學(xué)性質(zhì),熔點,沸點,密度,分子式,分子量,物理性質(zhì),毒性,結(jié)構(gòu)式,海關(guān)編碼等信息,同時您還可以瀏覽碳化 

富士混合型SiC 模塊應(yīng)用手冊 Fuji Electric

在25℃下施加額定電壓時,混合型SiC 模. 塊的漏電流ICES 比Si 模塊的漏電流ICES 要大數(shù)千倍,但是在150℃下,該值下降到2 倍左右。SiCSBD 漏電流. 的溫度依存 

碳化硅（SiC） 日本精密陶瓷株式會社 日本ファインセラミックス

碳化硅是一種黑色陶瓷,和其他的精密陶瓷相比,在高溫環(huán)境（1000℃以上）中機械強度降低幅度小、耐磨耗性高。 因其強共價鍵,在各種精密陶瓷材料中硬度、耐 

《功率SiC（碳化硅）材料、器件、模組及應(yīng)用2017版》 超越摩爾市場報告

2017年8月5日 碳化硅（SiC）應(yīng)用將在2019年迎來爆發(fā)！ 許多市場正面信號顯示,SiC功率器件的市場應(yīng)用正在加速. 2016年,Yole曾稱"SiC功率半導(dǎo)體市場是確定 

碳化硅SiC陶瓷的燒結(jié)工藝簡述 佳日豐泰

碳化硅陶瓷材料具有高溫強度大,高溫抗氧化性強,耐磨損性能好,熱穩(wěn)定性,熱彭脹系數(shù)小,熱導(dǎo)率大,硬度高,抗熱震和耐化學(xué)腐蝕等優(yōu)良特性。在汽車、機械化工、