2021年7月16日-高熱導(dǎo)率等優(yōu)點(diǎn).通過仿真和實(shí)驗(yàn)研究了碳化硅二極管作為續(xù)流二極管應(yīng)用在脈沖形成網(wǎng)絡(luò)中的表現(xiàn),并與硅二極管作對比.實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,碳化硅二極管在常溫下2014年10月15日-由于碳化硅晶元生長和SiC MOSFET制造工藝的限制,現(xiàn)在商用SiC MOSFET電流電壓等 19 段軍,梁雙建,起俠,唐霞輝,杭世驄;MOSFET式高頻激勵(連續(xù)/脈沖)CO2019年7月21日-若需要購買《功率碳化硅(SiC):材料、器件及應(yīng)用-2019版》報(bào)告,請發(fā)E-mail:wangyi#memsconsulting(#換成@)。 聲明: 本文由入駐搜狐公眾平臺的作者

電流脈沖碳化硅,2015年7月20日-土巴兔裝修問答平臺為網(wǎng)友提供各種碳化硅肖特基二極管真的沒有反向恢復(fù)電流嗎?問題解答.記得功率肖特基二極管剛出現(xiàn)的時候,很多文章都告訴我們:肖特基2005年6月13日-PL系列脈沖電流源 是普賽斯儀表 針對大功率激光器LIV測試而研制的,具有輸出電流脈沖窄、輸出脈沖電流大、支持脈沖光功率檢測等功能。輸出脈沖寬度小2016年4月6日-之后對此SiC MOSFET串并聯(lián)模塊進(jìn)行了在2400V/80A條件下的雙脈沖測試并比較了分 高壓大電流碳化硅MOSFET串并聯(lián)模塊來自淘豆網(wǎng)轉(zhuǎn)載請

2017年10月15日-【摘要】:碳化硅雙極結(jié)型晶體管(SiCBJT)由于SiC材料具有寬禁帶、高臨界擊穿電場及 電流。用功率分析儀Agilent B1505A測量靜態(tài)特性曲線和C-V曲2017年11月18日-MOS管Q5以及MOS管Q6為耐壓大于等于1000V的碳化硅MOSFET。本整流電流采用直流側(cè)電壓外環(huán)和交流側(cè)電流內(nèi)環(huán)相結(jié)合的雙環(huán)控制方式,可采用多種不同的調(diào)制方2016年2月1日-【摘要】:綜合論述了基于碳化硅(SiC)材料制備的四層器件在脈沖功率領(lǐng)域的應(yīng)用現(xiàn)狀 3 海洋;何小平;徐燕;;基于反向開關(guān)晶體管的重復(fù)頻率脈沖電流源

2022年3月1日-本吧熱帖: 1-大量采購碳化硅 2-//@眾晟牌鐵合金? ://@眾晟牌鐵合金? :分享貼子 3-//@眾 不同的是存在一個承壓導(dǎo)電模具加上可控脈沖電流,通過調(diào)節(jié)脈2020年1月10日-碳化硅MOS雙脈沖測試儀 EN-6500A分立器件動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)是由西安易恩電氣科技 該試驗(yàn)臺是一套大電流、高電壓的測試設(shè)備,電流***大可擴(kuò)展8000kA2022年6月20日-美國業(yè)者Apex Microtechnology開發(fā)出一系列集成了碳化硅(SiC) MOSFET技術(shù)的器件, 相較于硅材料,SiC具備許多優(yōu)勢,例如在同樣溫度和電流水平下,后者

2021年7月8日-這是西安長禾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司提供的碳化硅 MOS電子元器件雙脈沖參數(shù)測試分析檢測的詳細(xì)信息,包含長禾等相關(guān)介紹,歡迎您及時聯(lián)系。西安長禾半導(dǎo)